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　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光(guā杨志的性格特点和人物事迹概括，杨志的性格特点和人物事迹简介ng)公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国(guó)家关键信息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国国(guó)家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国网(wǎng)络杨志的性格特点和人物事迹概括，杨志的性格特点和人物事迹简介安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示(shì)， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大(杨志的性格特点和人物事迹概括，杨志的性格特点和人物事迹简介dà)和第三大供应(yīng)商(shāng)采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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